TASLimage 固體徑跡蝕刻測(cè)量系統(tǒng)

概述

TASLimage  是基于核徑跡分析技術(shù)發(fā)展的高性能全自動(dòng)圖像測(cè)量及分析系統(tǒng)，用于測(cè)量及分析各類塑料徑跡探測(cè)器，例如TASTRAK（TASL 公司生產(chǎn)）、CR39、PN3。系統(tǒng)的顯微鏡模塊采用了高質(zhì)量 Nikon 光學(xué)器件和超快 3D 機(jī)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證了系統(tǒng)的高測(cè)量效率、高精度及低本底等優(yōu)異性能。系統(tǒng)適用于中子測(cè)量、氡濃度監(jiān)測(cè)、聚變研究、α粒子放射自顯影、鈾礦勘探、宇宙射線以及放射領(lǐng)域教學(xué)。

特點(diǎn)

• 全自動(dòng)聚焦，全自動(dòng)掃描點(diǎn)碼和蝕刻徑跡；

• 全自動(dòng)測(cè)讀批量探測(cè)器；

• 快速測(cè)讀，測(cè)讀時(shí)間為 30~60 秒（與參數(shù)設(shè)置相關(guān)）；

• 自動(dòng)修正探測(cè)器響應(yīng)衰退，保證探測(cè)器可用于 12 個(gè)月的長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)；

• 高度精密的圖像分析技術(shù)，可區(qū)分徑跡與本底特征；

• 全自動(dòng)本底評(píng)估（對(duì)每個(gè)探測(cè)器）；

• 掃描數(shù)據(jù)自動(dòng)轉(zhuǎn)換為中子劑量。

技術(shù)參數(shù)

• 探測(cè)器類型：PADC（聚丙烯二甘醇碳酸酯）

• 兼容品牌：TASTRAK,CR39,PN3 等，不限尺寸

• TASTRAK 規(guī)格：

常規(guī)：0.5mm,0.75mm,1.0mm,1.5mm, 可定制：0.1~0.5mm，＞1.5mm

• 本底徑跡：＜20tracks/cm2

• 蝕刻數(shù)量：150 個(gè)或 294 個(gè)，不銹鋼蝕刻架

• 蝕刻條件(TASTRAK)：

氡：98℃,約 1 小時(shí)；或 75℃,約 6 小時(shí)；

中子：85℃,約 3 小時(shí)

• 識(shí)別徑跡密度：≥140tracks/mm2

• 探測(cè)限：

氡：5Bq/m3 ~15MBq/m3

中子：下限＜0.25mSv

• 線性：

中子：優(yōu)于 5?,不窄于 0.1mSv - 600 mSv； 氡：     3 -6?（200-5000 Bq/m3）